下一代HBM，SK海力士出招了

SK海力士已开始与其供应链合作伙伴展开磋商，为下一代高带宽内存（ HBM）技术“iHBM”的应用和量产做准备。该技术旨在降低HBM的发热量，是SK海力士在竞争激烈的 HBM市场中保持领先地位的战略举措。据业内人士21日透露，SK海力士近期已与国内外材料、组件和设备（SoBuJang）合作伙伴接洽，推进iHBM技术研发并做好量产准备。据悉，双方讨论了iHBM的实际产品应用和量产计划，该技术能够最大限度地降低HBM的发热量。一位熟悉情况

的SK海力士合作伙伴公司负责人表示：“SK海力士正在探索SoBuJang合作，以将iHBM应用于实际工艺流程并实现商业化。”他还补充道：“他们似乎已经在评估实际量产可行性的同时，着手进行商业化进程。”

iHBM是SK海力士于去年5月发布的一项技术。其核心特性是在HBM最底部的基片上应用了“集成冷却元件（ICE）”。

散热仍然是HBM面临的最大技术挑战。目前，HBM由直接接触的基片和核心片（DRAM堆叠而成）组成。基片包含一个物理连接部分（D2D pi），用于与图形处理器（GPU）进行超高速数据通信；然而，随着数据计算量和HBM层数的增加，发热量也会加剧。由于这些热量通过核心片散发，因此散热效率很低。

这是提升AI基础设施性能的最大障碍之一。散热控制不佳会导致能效显著下降，还会导致性能下降、系统错误和寿命缩短。因此，HBM制造商正致力于散热控制。

iHBM在基片的通信连接部分集成了一个隔热（ICE）元件，从而开辟了一条新的散热路径。 SK海力士解释说，这项技术可以将热阻降低30%以上。这意味着即使在高温高负载环境下，HBM也能稳定运行，从而提升人工智能基础设施的效率。

iHBM采用基于晶圆级封装（WLP）工艺的技术，该工艺基于SK海力士已采用的先进MR-MUF技术（一种用于堆叠HBM芯片并一步填充间隙的秘密工艺）。因此，预计将建立与现有HBM类似的材料、零部件和设备供应链体系。据报道，SK海力士正在考虑在其现有网络的基础上扩展供应链，以提升iHBM的性能和生产效率。

SK海力士的目标是从HBM5开始应用iHBM技术。根据该公司的HBM5路线图，预计将于2029年发布。目前，该公司正在使用台积电的先进封装技术CoWoS对HBM5进行验证。

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