存储芯片巨头，中国扩产

全球存储芯片产业正在经历一场新的变化。一边是AI数据中心持续推高存储需求，企业级SSD的重要性日益凸显；另一边，中国存储厂商正在加快追赶，三星电子和SK海力士在中国市场面临的竞争压力也随之增加。在这样的背景下，两家韩国存储巨头开始推进中国工厂的先进NAND闪存生产升级。

据路透社10月21日报道，三星计划将其位于中国西安的工厂升级至286层V9 NAND闪存生产工艺，SK海力士则计划在大连工厂生产240层及以上的NAND产品。这意味着，两家企业希望继续提升中国生产基地的技术水平，以应对AI带来的存储需求增长，并维持自身在NAND市场的竞争力。

不过，这项升级计划背后还有一道绕不开的门槛：美国对半导体制造设备出口的限制。对于三星和SK海力士而言，如何在中国市场保持竞争力，同时满足美国出口管制要求，已经成为其全球制造布局中一个越来越现实的问题。

西安工厂是三星全球NAND闪存生产体系中的重要组成部分。根据路透社援引知情人士的说法，该工厂目前生产的NAND产品约为200层，而三星正计划将其升级至286层的V9 NAND工艺。

报道提到，这项内部代号为“Monami”的计划，目标是在2026年12月实现每月5000片晶圆的产出，并在2027年12月将月产出提高至4万片。需要注意的是，这些数字反映的是相关计划的目标，并不代表产线已经达到相应产出水平。

西安工厂的重要性不仅在于其技术升级本身，也在于它在三星整体生产布局中的分量。据报道，该工厂约占三星全球NAND闪存产量的40%。如此规模的生产基地，如果长期无法跟进先进工艺迭代，势必会影响设备利用效率、产品竞争力以及整个制造体系的协调。

三星向路透社表示，相关升级符合美国出口规定，目的是满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求。三星同时强调，公司并未扩大生产能力，也没有建设新的制造设施。

这一表态值得关注。对三星而言，升级现有产线与新建产能是两个不同的问题。通过调整现有生产工艺，公司希望在不新建工厂、不扩大产能的情况下，提高中国生产基地所能制造的产品的技术水平。但这种升级究竟能够推进到什么程度，仍取决于具体设备能否获得美国方面的许可。

SK海力士同样在推进中国工厂的技术升级。

路透社报道称，SK海力士计划将大连工厂的NAND生产从目前的192层提升至240层及以上。该公司已经在大连工厂安装设备，并表示相关工作是在与美国政府密切沟通的情况下进行的。

与三星西安工厂一样，大连工厂也是SK海力士全球存储业务布局的一部分。随着AI数据中心建设加速，企业级SSD对高容量NAND闪存的需求不断增加，大连工厂的工艺升级有助于公司继续服务相关市场。

NAND闪存是一种断电后仍能保存数据的非易失性存储器，广泛用于智能手机、个人电脑和固态硬盘。对于AI数据中心而言，随着服务器规模扩大、模型训练与推理产生的数据不断增加，能够提供大容量存储的企业级SSD正变得更加重要。

从技术角度看，增加NAND的堆叠层数，是提升存储密度、降低单位存储成本的重要路径之一。不过，层数并不是衡量NAND产品竞争力的唯一标准，产品性能、良率、制造成本和量产能力同样重要。

因此，三星和SK海力士推进中国工厂升级，并不只是追求更高的层数，而是希望让现有生产基地继续跟上产品迭代的节奏，在市场需求增长时保有相应的供应能力。

从更大的产业背景来看，三星和SK海力士的选择，折射出全球存储产业面临的现实矛盾。

一方面，AI基础设施建设推动存储需求增长，企业需要持续提升产品能力并优化生产布局；另一方面，半导体供应链越来越受到出口管制和地缘政治因素影响，企业不能再单纯根据制造成本、市场需求和技术路线决定在哪里生产什么产品。

中国工厂对于三星和SK海力士仍然具有重要价值。升级现有生产线，可以让企业在既有制造基础上推进工艺迭代，而不必完全依赖新建工厂。但与此同时，美国设备出口许可的不确定性，也使这些工厂未来能够推进到何种技术水平，面临更多限制。

对中国存储产业而言，三星和SK海力士的动作同样值得关注。一方面，外资存储厂商仍在努力维持中国工厂的先进制造能力，说明中国市场和生产基地对全球存储供应链依然重要；另一方面，长江存储市场份额的提升，也表明本土企业正在改变中国NAND市场的竞争格局。

接下来，真正值得观察的，不只是三星西安工厂能否按计划推进286层NAND生产，或SK海力士大连工厂能否实现240层及以上产品的量产，还包括美国出口许可能否持续支持相关工艺升级，以及长江存储能否继续缩小与国际厂商之间的技术和产品差距。

在AI需求持续增长、存储技术不断迭代的背景下，中国工厂不再只是跨国存储企业全球制造体系中的一个生产节点。它们的技术定位、投资空间和未来产出，正在同时受到市场竞争与地缘政治的影响。三星和SK海力士此次推进升级，正是这一变化的具体体现。

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