Solidigm，寻求在中国扩产

据报道，SK海力士旗下美国子公司Solidigm正在寻求美国政府批准，向其位于中国大连的NAND闪存工厂出口更多美国制造的半导体设备。相关申请与Solidigm计划在美国建设一座NAND闪存工厂有关，反映出SK海力士在扩大美国本土制造布局的同时，仍需要协调其中国工厂的设备供应问题。

知情人士透露，Solidigm已向美国商务部申请出口许可，计划在大连工厂尚未充分配置设备的Mod B区域安装更多生产设备，以提高NAND闪存产出。该工厂使用的设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。

大连工厂的Mod B区域于2023年建成，但由于当时存储市场处于下行周期，部分设备安装工作被暂停，因此仍有较大的设备配置空间。随着NAND市场回暖，全球存储供应趋紧、价格上涨，Solidigm希望进一步利用这一产能空间。

TechInsights存储行业专家Walt Coon表示，NAND市场在经历此前的低迷后已明显复苏，预计未来几年仍将保持紧张状态。他还指出，自2023年年中以来，NAND价格已上涨约七倍。

不过，设备出口许可仍是这项计划面临的关键障碍。美国商务部此前撤销了SK海力士和三星电子向中国工厂接收美国设备的相关一揽子授权机制，并表示，虽然会考虑为维持现有中国工厂运营所需的设备发放许可，但预计不会批准用于扩大产能或升级技术的设备出口。

报道指出，美国政府已向大连工厂发放2026年度设备进口许可，但对设备数量设有限制。截至报道发布时，Solidigm尚未获得2027年进一步进口美国制造设备及技术的许可。

对于大连工厂的设备安装问题，SK海力士表示，相关工作正在与美国政府密切协商并依据其授权推进，公司并未寻求扩大该工厂的产能。Solidigm则未对此事发表评论。

值得注意的是，大连工厂的设备配置计划与Solidigm在美国建设NAND工厂的融资安排存在关联。知情人士表示，如果能够增加中国工厂的产出，Solidigm将获得更多资金支持美国新工厂建设。该公司还在评估最早于2027年进行首次公开募股（IPO）的可能性，以筹集美国建厂所需资金。

此前，Solidigm已开始评估美国新建NAND工厂的选址，纽约州北部是考虑中的地点之一。与此同时，SK海力士还在与英特尔就租用俄亥俄州规划中的芯片制造设施部分区域进行谈判，并已在印第安纳州启动一座面向高带宽存储器（HBM）的先进封装工厂建设。

从市场竞争来看，SK海力士与三星电子是全球主要的NAND闪存供应商。根据报道引用的Counterpoint Research数据，中国长江存储（YMTC）在2026年第二季度升至全球NAND供应商第三位。这一竞争格局变化，也使美国对中国半导体制造设备供应的审查受到更多关注。

对于Solidigm而言，美国政府是否批准新增设备出口许可，将影响其大连工厂的设备配置计划，也关系到美国NAND工厂的后续建设与资金安排。若申请获批，公司有望在存储市场供应趋紧的背景下增加产出，并为美国本土制造布局提供资金支持；若申请未获批准，其建厂融资安排则可能面临更大压力，公司也可能考虑在可行的情况下寻求非美国供应商的设备。

这项申请同时凸显了美国半导体产业政策面临的现实矛盾：一方面，美国希望吸引海外芯片企业在本土投资建厂；另一方面，又通过出口管制限制美国半导体设备流向中国。如何在推动本土制造投资与执行对华技术限制之间取得平衡，将成为这项许可申请的关键背景。

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