成熟制程晶圆代工市况向好,相关台厂各具利基优势抢占市场。联电以嵌入式高压工艺深耕 OLED 驱动芯片;力积电通过硅电容、晶圆堆叠切入 AI 先进封装;世界先进则掌握高压与电源管理技术,并延伸至 12 英寸布局。三家台厂各自使出浑身解数,抢抓 AI 庞大商机。
业界指出,联电在显示驱动芯片代工领域具有深厚基础,其嵌入式高压工艺(eHV)基于逻辑 CMOS 平台搭建,整合逻辑运算与高压驱动功能,支持 LCD、OLED 面板需求,并进一步延伸至 micro-LED、micro-OLED 等新兴显示应用。
在面板朝着高分辨率、低功耗方向发展的趋势下,驱动芯片也须同步升级。联电今年 5 月推出 14 纳米 eHV FinFET 平台,已于南科 12A 厂完成验证。该平台采用鳍式场效应晶体管取代传统平面架构,将特色工艺推向更先进节点,衔接既有的 22 纳米、28 纳米布局,巩固并扩大高阶显示驱动芯片的竞争优势。
力积电的策略是将成熟制程能力延伸至先进封装,通过 12 英寸集成无源器件(IPD)平台发展硅电容,切入英特尔 EMIB 封装供应链。
业界表示,硅电容可集成于封装内部,改善高速计算与 AI 芯片的电源完整性,成为公司争取高附加值订单的重要产品。
此外,力积电还布局晶圆对晶圆(WoW)3D 堆叠,与爱普、晶豪科等厂商共同推广边缘 AI 应用;同时深化与美光的 DRAM 工艺及 HBM 后段晶圆制造合作,从存储器代工延伸至 3D 集成,深度参与 AI 供应链。
世界先进以高压、BCD 及模拟混合信号工艺为核心,业务涵盖电源管理、显示驱动与功率器件。相比于逻辑工艺侧重线宽微缩,这类技术更看重耐压、电流驱动及可靠性,能够满足 AI 服务器、汽车电子与工业设备不同的电源需求。
原文链接
https://udn.com/news/story/7240/9824842?from=udn-catelistnews_ch2
(来源:编译自udn)
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