导语
AI大模型的狂飙，正在把整个半导体产业链逼向物理极限。当所有人都在关注GPU算力和HBM存储时，很少有人注意到，一块先进封装芯片内部，用于供电和信号传输的底层无源器件（如硅电容），正悄然成为制约算力提升的隐形瓶颈。刚刚在伦敦落幕的EuMW 2026（第29届欧洲微波周），提供了一个难得的观察窗口。中国企业向国际市场展示了在硅基电容赛带的最新突围。这次中国企业不是去欧洲卖单一产品的，而是去给欧洲最顶级光模块与射频微波厂商提供‘关键零部件’与系统性的解决方法—硅基无源器件。这是中国硬科技从‘卖整机’到‘卖核心器件’的质变。
EuMW 2026 官方宣传图：会期 10 月 4-9 日、地点 ExCeL London
（图片来源：EuMW 官方）
现象：传统巨头主导的展区里，一家中国企业被围住了
在各大国际大厂长期垄断的硅电容领域，中国企业的身影并不多见。但今年的展会上，一家来自中国的硬科技企业展台前，专业观众驻足、围在演示台前深度交流。不少海外工程师是带着光模块、毫米波雷达的真实工程痛点来“寻医问药”的。该企业VE系列 Class-I介质、SLCC替代方案，以及具备200°C高工作温度、最小容差±0.02pF的HE系列，引发了现场海外客户的咨询与确认。
有趣的是，展会现场出现了戏剧性的一幕：许多射频工程师原本只是被其VE系列（SLCC替代方案）吸引过来的，但坐下来交流后，目光却被HD系列在先进封装领域的高密度参数吸引，现场对着实测曲线连连追问：“How?”（到底是怎么做到的？）
凌存垂直系列硅电容（VE系列）
揭晓：这家企业是谁？
这家在EuMW 2026上向海外输出底层技术的中国企业，是于2021年成立于苏州工业园区的凌存科技（INSTONTECH）。技术出海，最终靠的还是人才底座的厚度。据了解，凌存科技研发人员占比超70%，核心团队汇聚海内外高端人才，这其实就是一个行业风向标。
揭秘：底气从何而来？后续还有大招？
展会中海外工程师的惊叹并非空穴来风，这一现场反馈背后，折射出行业风向的微妙变化。虽然EuMW历来是射频微波的主场，HD与UB系列并非该展会的传统核心议题，但凌存展出数据仍然吸引大量海外工程师驻足并深度问询。一方面，针对先进封装（PDN）空间极度受限的难题，其HD系列将容值密度拉到了3500nF/mm²，ESL低于0.9pH/mm²，在寸土寸金的芯片内部提供了新的解题思路。另一方面，面向800G/1.6T光模块和毫米波需求，其UB系列表面电极结构支持110GHz以上，S21实测优于-0.5dB@110GHz，在射频前端的高频性能上也给出了实际验证数据。
凌存先进封装容硅电容（HD系列）
凌存超宽频系列硅电容（UB/UBA系列）
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过去，国内企业在高端无源器件上多处于“跟随”状态，此次展出的底层技术逻辑则呈现出明显的差异化。支撑上述硬核参数的，是该企业12英寸CMOS工艺平台、200余款料号，以及与硅中介层（Interposer）、IPD共享同一工艺底座的一站式SI/PI能力。这意味着，该企业具备了从器件原理到全链条量产的底层能力，跳出了简单的封装代工模式。展会期间，多位领域资深专家在看到实测曲线与实物样品后，对产品技术给予积极评价。从产业视角看，国内硅基无源器件正依托扎实的技术底座，稳步参与到全球高端供应链的底层分工之中，从“国产替代”走向“国产输出”。
值得注意的是，据产业链消息，凌存科技在HD系列量产及Interposer商业验证方面已取得实质性进展，相关重大节点预计将在未来两个月内陆续披露。
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