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共 2 篇文章
从新到旧
英特尔前CEO:HBM,太糟糕了
半导体行业观察:英特尔前CEO再次抨击HBM内存架构存在缺陷,尽管他承认这是“我们目前能得到的最佳方案”。与此同时,由于HBM产能持续增长而DRAM产能下降,南亚半导体重申DRAM短缺将持续到2028年初。
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半导体行业观察:英特尔前CEO再次抨击HBM内存架构存在缺陷,尽管他承认这是“我们目前能得到的最佳方案”。与此同时,由于HBM产能持续增长而DRAM产能下降,南亚半导体重申DRAM短缺将持续到2028年初。
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