暴涨200%！三星下一代HBM4存储芯片大幅提价

据中新经纬援引韩国财经媒体《每日经济》2日报道，三星电子将下一代高带宽内存HBM4的供应价格，定为其当前旗舰产品HBM3E的3倍以上，并已开始与客户进行谈判。

三星展台（资料图） 图片来源：视觉中国

报道称，随着HBM4将取代现有旗舰产品，公司计划在代际交替时提升盈利能力。

据半导体行业消息人士透露，三星电子在与主要客户就2027年度HBM4供应合同进行谈判时，提出了每千兆4美元中高区间的价位，而现在HBM3E的价格约1.5美元。

与传统DRAM不同，HBM主要通过年度长期合同供应，主要客户和制造商会提前就次年的销量和价格进行协商。客户提前获得所需的HBM产量，而制造商则利用这些信息制定生产计划。随着明年大部分主要HBM交易量已与客户完成谈判，预计本月价格谈判将进入最后阶段。

报道认为，三星电子大幅调价的决定，源于对HBM4性能的信心。该公司的HBM4稳定实现了11.7Gbps的数据传输速度，最高可达13Gbps。

HBM4预计将成为HBM市场竞争的转折点，将关注点从产量转向质量。目前，HBM的竞争关键是通过英伟达等主要客户的质量认证，进入其供应链，然后增加供应量。然而，从HBM4开始，人工智能对内存性能的要求进一步提升，这使性能差异成为决定价格的重要因素。

市场调研公司TrendForce预测，HBM在2027年的平均售价将比今年上涨121%，主要受HBM4比例增加和供应短缺的影响。美光科技最近在财报公布后的电话会议上提到，明年HBM价格可能大幅上涨。

编辑|梁露月 易启江