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三星要把 HBM4E 的一半交给台积电

电子发烧友网综合报道，近日，韩媒报道：长期各自为战、互为对手的三星电子与台积电，将在下一代HBM的实际制造阶段

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电子发烧友网综合报道，近日，韩媒报道：长期各自为战、互为对手的三星电子与台积电，将在下一代HBM的实际制造阶段首次联手，为英伟达的定制内存NVHBM生产核心组件。消息一出，业内人士戏称此为“破天荒”的合作。

此次合作生产的关键，是HBM的“基础裸片”（base die）。三星决定采用台积电3纳米工艺制造这一组件，服务于正在为英伟达开发的下一代定制化HBM——NVHBM。NVHBM基于第七代标准HBM4E架构，其核心设计是把英伟达自研内存控制器集成进基础裸片，使其从单纯的连接层升级为承担定制逻辑功能的系统半导体。

相比标准HBM4E，NVHBM可提供高出约30%的内存带宽、功耗降低约15%。此前三星长期坚持“交钥匙”全包模式，HBM4与HBM4E的基础裸片均用自家4纳米代工工艺，核心裸片则来自华城、平泽园区的1c产线。尽管四年前，三星曾和台积电就封装兼容有过协作，但此次标志着二者首次在HBM制造环节直接携手。

合作的动因有二：一是来自英伟达的硬性要求，二是NVHBM需求巨大，三星需要临时借力台积电的先进制程。

真正推动这场联手的，是英伟达自上而下的标准化诉求。

英伟达已同时向三星、SK海力士与美光三大供应商提出统一规格——生产NVHBM时，基础裸片一律采用台积电3纳米工艺，核心裸片统一使用代号1c的第六代DRAM工艺。

英伟达为何会提出这个要求？主要还是为了推进产品和生产环节的“一致性”：若各家采用不同制造工艺，同一套设计便难以保证最终产品性能稳定统一；而把基础裸片锁定在单一平台后，英伟达无需再针对每家供应商单独开展样品验证，大幅节省时间与资源。值得注意的是，SK海力士本就采用专业分工模式、将HBM4基片交给台积电代工，英伟达所做的，只是把这条路径推广为全行业的统一标准。

此次合作，或许会对行业带来不同的影响。例如竞争格局出现变化，代工龙头与存储巨头走向“制造协同”，台积电在先进制程上的优势地位被进一步巩固。

此外，台积电的3nm 产能也可能随之成为 HBM4E 时代产业链层面的共同瓶颈。当然三星并未放弃自主：据报道，三星内部在验证用自有产线制造NVHBM基础裸片的可行性，作为台积电产能不足时的备份；标准HBM及面向AMD等客户的定制产品，则继续维持全包模式。从财务看，HBM业务正成为改善三星代工业绩的关键——2025年，三星代工部门亏损为6.74万亿韩元，到了2026年，已经亏损仅为3.92万亿韩元，降幅约41%，并且在今年6月实现了自从2023年以来的首次月度盈利。

三星与台积电此次合作，不仅仅是一笔代工订单，也是 AI 算力供应链上一次静悄悄的重排。可以期待的是，在英伟达高价值AI供应链的“入场券”面前，类似的跨界联手或将越来越多。

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